Өндөр цэвэршилттэй графит хатуу эсгий

Гурав дахь үеийн хагас дамжуулагч болон дэвшилтэт фотоволтайкийн үйлдвэрлэлийн үндсэн дулааны талбайн материал болох өндөр цэвэршилттэй бал чулуун хатуу эсгий нь нүүрстөрөгчид суурилсан материалын судалгаа, хөгжүүлэлтийн 20 гаруй жилийн туршлага дээр үндэслэн Semixlab-ийн боловсруулсан стратегийн бүтээгдэхүүн юм. Арматурын дэвшилтэт технологи, хэт өндөр температурт градиент графитжуулах үйл явцын ачаар уг материал нь уламжлалт зөөлөн эсгий материалд хүрч чадахгүй бүтцийн хатуу байдал, байгаль орчны тогтвортой байдлыг бий болгож, бал чулууны маш сайн дулааны шинж чанарыг хадгалдаг. Үйлдвэрлэлийн процесс нь олон улсын дэвшилтэт түүхий эдээр эхэлж, 1200 градусын өмнө нүүрстөрөгчжүүлэлт хийсний дараа эмх замбараагүй давхаргын бүтцийг бий болгож, өөрөө боловсруулсан үнс багатай фенолын давирхайг шингээж, нарийн төвөгтэй хэлбэртэй хэсгүүдийг 80 МПа изостатик даралтын технологиор бэлтгэдэг. Аргоноор хамгаалагдсан агаар мандалд бие нь 2800 хэмд 72 цагийн турш градиент графитжуулалтад хамрагддаг бөгөөд энэ нь нүүрстөрөгчийн атомуудын дахин зохион байгуулалтыг өндөр эмх цэгцтэй болор бүтцийг бий болгоход тусалдаг ба эцэст нь таван тэнхлэгт CNC боловсруулах төвөөр дамжуулан ± 0.05 мм-ийн хэмжээсийн нарийвчлалд хүрдэг. Исэлдэлтийн эсэргүүцлийг сайжруулахын тулд 50-200μm зузаантай SiC градиент бүрээсийг химийн уурын хуримтлалаар (CVD) гаргаж авах боломжтой.

Өндөр цэвэршилттэй графит хатуу эсгий нь хэт дулааны орчинд маш сайн иж бүрэн гүйцэтгэлийг харуулдаг: нүүрстөрөгчийн агууламж ≥99.99%, үнсний хэмжээг 65ppm дотор хатуу хянадаг бөгөөд хагас дамжуулагчийн цэвэр байдлын шаардлагыг хангасан; 2000℃-ийн өндөр температурт ч гэсэн ≥3МПа даацыг хадгалж, зөөлөн эсгий материал нь өндөр температурын нөхцөлд амархан хэв гажилт, нурж унадаг гэх салбарын асуудлыг амжилттай даван туулж байна. SiC дан болор өсөлтийн зууханд температурыг нарийн хянах нарийвчлалд хүрч, энэ нь салбарын дунджаас 40%-иар өндөр бөгөөд дан болорын дислокацийн нягтыг 500см⁻²-ээс доош үр дүнтэй бууруулдаг. 2000 хэмээс тасалгааны температур хүртэл 100 удаа бөхөөх, халаах мөчлөгийн дараа материалын шугамын агшилтын хэмжээ үргэлж 0.5% -иас бага байдаг нь уламжлалт карбон эсгий хэмжээсийн тогтвортой байдал 3 дахин их байгааг харуулж байна.

Гурав дахь үеийн хагас дамжуулагчийн үйлдвэрлэлийн салбарт бүтээгдэхүүн нь физик уур дамжуулах (PVT) SiC болор өсөлтийн зуухны үндсэн бүрэлдэхүүн хэсэг болсон бөгөөд түүний хүчитгэсэн бүтэц нь орон нутгийн өндөр температурын 3000 ℃-ийн бүтцийн мөлхөгдлийг тэсвэрлэх чадвартай, тусгай SIC-Si нийлмэл бүрээстэй бол исэлдэлтийн эсэргүүцлийн температурыг 1800 ℃ хүртэл нэмэгдүүлэх боломжтой. Нэг болор зуухны вакуум зэрэг нь 5х10-д тогтвортой байна^-3Ааваа удаан хугацаанд.

Техникийн өгөгдөл_Нүүрстөрөгч/Нүүрстөрөгчийн нийлмэл:

1. SiC нэг талст өсөлтийн зуух (PVT арга)

Бал чулуун тигелийн бүх бүрэлдэхүүн хэсгүүдийн үндсэн дулаан тусгаарлагч давхарга болох тэнхлэгийн температурын градиент хяналтын нарийвчлал нь ± 0.3 ℃ / мм байна; Өсөлтийн камерын вакуумыг < ​​5×10-3Па байлгах; Нэг болор мултрах нягтыг < 500/см² хүртэл бууруулдаг.

2. Фотовольтийн поликристал ембүү зуух

Дээд талын дулаан тусгаарлах модуль нь эрчим хүчний хэрэглээг 35% бууруулдаг (уламжлалт нүүрстөрөгчийн эсгий уусмалуудтай харьцуулахад).

3. Гурав дахь үеийн хагас дамжуулагч эпитаксийн төхөөрөмж

±1℃ өрмөнцөрийн түвшний температурын жигд байдалд хүрэхийн тулд MOCVD урвалын камертай нэгтгэсэн.

8 инчийн GaN-on-SiC эпитаксиаль хуудасны масс үйлдвэрлэлийг дэмжинэ.

Өндөр температурын гулзайлтын бат бэх: үйлдвэрлэлийн түвшингээс өндөр, 150МПа хүртэл.

Дулааны мөчлөг: 1000 хүртэл удаа, салбарын дунджаас хамаагүй өндөр.

Бүрэн тохируулсан үйлчилгээг дэмжих: материалаас хэлбэр хүртэл, маш их өөрчлөх боломжтой.