Хэт ягаан туяаны LED Epi Susceptor

Хэт ягаан туяаны LED Epi Susceptor нь хэт ягаан туяаны LED-ийн эпитаксиал өсөлтийн чухал процессын бүрэлдэхүүн хэсэг юм. Хэт өндөр дулааны нөхцөл, өндөр хөнгөн цагааны агууламж, нарийн процессын цонх нь материал болон бүтцийн дизайнд онцгой өндөр шаардлага тавьдаг. AlN болон AlGaN дээр суурилсан хэт ягаан туяаны LED үйлдвэрлэх металл органик химийн ууршуулах (MOCVD) системд субстрат нь реакторын орчин болон эпитаксиал вафли хоорондын гол интерфейс болж, температурын жигд байдал, хийн урсгалын тогтвортой байдал, эпитаксиал давхаргын нийт чанарт шууд нөлөөлдөг.

Хэт ягаан туяаны LED Epi Susceptor нь хагас дамжуулагч зэрэглэлийн бал чулууг суурь болгон ашигладаг бөгөөд өндөр цэвэршилттэй цахиурын карбид (SiC) бүрхүүлээр хамгаалагдсан бөгөөд хэт ягаан туяаны LED эпитаксиал өсөлтийн ердийн өндөр температур болон зэврэлтийн процессын нөхцөлд найдвартай ажиллах зориулалттай. Бал чулуун суурь нь маш сайн дулаан дамжуулалт болон хурдан дулааны хариу урвалыг санал болгодог бөгөөд өндөр температурт хөнгөн цагаанаар баялаг AlGaN өсөлтийн үед вафлийн гадаргуугийн температурыг нарийн хянах боломжийг олгодог. Энэхүү дулааны гүйцэтгэл нь вафлийн жигд зузаан, хяналттай хөнгөн цагаан найрлага, тогтвортой цацрагийн долгионы уртыг бий болгоход чухал үүрэгтэй.

Цахиурын карбидын бүрхүүл нь урт хугацааны процессын тогтвортой байдлыг хангахад шийдвэрлэх үүрэг гүйцэтгэдэг. Өндөр NH₃ урсгалын хурд болон өндөр урвалд ордог металлорганик урьдал бодисоор тодорхойлогддог хэт ягаан туяаны LED эпитакси орчинд хамгаалалтгүй бал чулуу нь зэврэлт, бөөмс үүсэх, бохирдоход өртөмтгий байдаг. Өтгөн SiC бүрхүүл нь бал чулуун суурь материалыг шууд химийн элэгдэлээс үр дүнтэй тусгаарлаж, бөөмс үүсэх, материалын хийн ялгаралтыг мэдэгдэхүйц бууруулж, дулааны мөчлөг болон химийн зэврэлтэд тэсвэртэй байдлыг нэмэгдүүлдэг. Энэ нь реакторын цэвэр орчин, ялангуяа их хэмжээний үйлдвэрлэлд вафлийн гарцыг сайжруулахад хувь нэмэр оруулдаг.

Хэт ягаан туяаны LED үйлдвэрлэлд суурь нь зөвхөн вафлины тээвэрлэгч төдийгүй дулааны болон урсгалын талбайн жигд байдлыг тодорхойлох чухал хүчин зүйл болдог. Түүний геометр болон гадаргуугийн шинж чанаруудыг ирмэгийн нөлөө болон температурын градиентийг багасгахын тулд оновчтой болгосон бөгөөд ингэснээр дан эсвэл олон вафли дээр эпитаксиал өсөлтийг тогтвортой дэмждэг. Тогтвортой, давтагдах дулааны гүйцэтгэл нь процессын илүү хатуу хяналтыг бий болгодог бөгөөд энэ нь ялангуяа гүн хэт ягаан туяаны долгионы уртад чухал ач холбогдолтой юм.

Хэт ягаан туяаны LED Epi Susceptor нь ашиглалтын хугацааг уртасгах, багц хоорондын тогтвортой гүйцэтгэлтэй байхаар бүтээгдсэн бөгөөд засвар үйлчилгээний давтамж болон эзэмшлийн нийт зардлыг бууруулдаг. Өндөр чанартай бал чулуун цөм болон бат бөх SiC бүрхүүлийн хослол нь үйлдвэрлэлийн урт хугацааны туршид хэмжээст тогтвортой байдал, гадаргуугийн бүрэн бүтэн байдлыг хангаж, үйлдвэрүүдэд оновчтой процессын жорыг түгжиж, урт хугацаанд өндөр ургацыг хадгалахад тусалдаг.

Semixlab-ийн дэвшилтэт эпитаксиал бүрэлдэхүүн хэсгүүдийн багцын нэг хэсэг болох энэхүү UV LED Epi Susceptor нь компанийн UV LED процессын шаардлага болон тоног төхөөрөмжийн нийцтэй байдлын талаарх гүнзгий ойлголтыг илэрхийлдэг. Энэ нь онцгой дулааны нарийвчлал, химийн бат бөх чанар, процессын давтагдах чадварыг шаарддаг хөнгөн цагаан нитрид (AlN) болон хөнгөн цагаан галлий нитрид (AlGaN) эпитаксиал хэрэглээнд тохиромжтой. SiC бүрсэн UV LED Epi Susceptors-ийн тэргүүлэгч Хятадын үйлдвэрлэгч болохын хувьд Semixlab нь хагас дамжуулагч гүн хэт ягаан туяаны LED эпитаксиал процессуудад зориулсан дэвшилтэт технологи, захиалгат бүтээгдэхүүний шийдлүүдийг хүргэхэд тууштай хэвээр байна. Бид Хятад дахь таны урт хугацааны түнш болохыг чин сэтгэлээсээ хүлээж байна.