TaC бүрсэн сүвэрхэг бал чулуу

Semixlab-ийн Тантал карбид (TaC) бүрсэн сүвэрхэг графит цагираг (Тантал карбидаар бүрсэн сүвэрхэг графит цагираг) нь цахиурын карбидын (SiC) дан талстыг ургуулахад тусгайлан зориулсан өндөр хүчин чадалтай бал чулууны бүрэлдэхүүн хэсэг юм. Энэхүү бүтээгдэхүүн нь өндөр цэвэршилттэй сүвэрхэг графит субстратаар хийгдсэн бөгөөд гадаргуу дээр өндөр температурт тэсвэртэй, зэврэлтэнд тэсвэртэй тантал карбид (TaC) бүрээстэй. Энэ нь дулааны цохилтод маш сайн тэсвэртэй, химийн тогтвортой байдал, удаан эдэлгээтэй байдаг бөгөөд SiC нэг болор өсөлтийн зууханд (PVT арга) гол хэрэглэгдэхүүн юм.

Бүтээгдэхүүний онцлог

1. Өндөр цэвэршилттэй сүвэрхэг бал чулуу субстрат

Хэт өндөр цэвэршилттэй (≥99.9999%) изостатик бал чулууг ашигласан бөгөөд энэ нь сүвэрхэг чанарыг хянах боломжтой бөгөөд дулааны жигд байдал, хийн нэвчилтийг хангаж, SiC моно талстуудын өсөлтийн орчныг оновчтой болгодог.

Үнс багатай, хольц багатай тул болор ургах явцад бохирдох эрсдэлийг бууруулдаг.

2. Тантал карбидын (TaC) бүрэх хамгаалалт

TaC бүрэх нь маш өндөр хайлах цэг (~ 3880 ℃) ба химийн маш сайн идэвхгүй шинж чанартай тул бал чулууг өндөр температурт Si/C ууртай урвалд орохоос үр дүнтэй сэргийлж, талстыг бохирдуулах бал чулууны тоосонцорыг багасгадаг.

Бүрхүүл нь нягт, жигд бөгөөд графит цагирагийн исэлдэлтийн эсэргүүцэл, зэврэлтэнд тэсвэртэй байдлыг ихээхэн нэмэгдүүлж, ашиглалтын хугацааг уртасгадаг.

3. Маш сайн дулааны тогтвортой байдал

Энэ нь дулааны тэлэлтийн бага коэффициент, дулааны цочролын хүчтэй эсэргүүцэлтэй тул SiC нэг талст (2000 ℃-аас дээш) ургах явцад температурын огцом өсөлт, бууралтад тохиромжтой.

Өндөр дулаан дамжуулалт нь дулааны талбайн жигд тархалтыг баталгаажуулж, болор өсөлтийн чанарыг сайжруулдаг.

4. Захиалгат загвар

Нүхний хэмжээ, сүвэрхэг байдал, бал чулуун цагирагийн хэмжээ, TaC бүрээсний зузааныг SiC талст өсөлтийн янз бүрийн төрлийн зууханд (индукцийн халаалт эсвэл эсэргүүцлийн халаалтын төрөл гэх мэт) дасан зохицохын тулд хэрэглэгчийн шаардлагын дагуу тохируулж болно.

Түргэн дэлгэрэнгүй:

Хоч: Сүвэрхэг бал чулуу, TaC бүрсэн сүвэрхэг бал чулуун цагираг, бал чулуун цагираг, Тантал карбидын бүрээстэй сүвэрхэг бал чулуун цагираг, SiC талст өсөлтөд зориулсан сүвэрхэг бал чулуун цагираг

Зорилго: Тоног төхөөрөмжийн үйлдвэрлэлийн үр ашгийг дээд зэргээр нэмэгдүүлэхийн зэрэгцээ PECVD процесст өндөр чанартай хальсыг тогтвортой байлгах.

Үндсэн параметрүүд: Сүвэрхэг чанар: 10%-30%, бүрэх материал: TaC бүрэх, бүрэх зузаан: 30±5um, үйлчилгээний дээд температур: 2200℃ (инерт/вакуум орчин), цэвэршилт ≥99.9999%, дулааны тэлэлтийн коэффициент ≤5×10⁻0⁻0≤5×10⁻0⁶ (өрөөний температур)

Техникийн үзүүлэлт

Програмын хувилбарууд

● SiC дан талст өсөлт (PVT арга) : Тигель бүрэлдэхүүн хэсэг буюу дулааны талбайн бүрэлдэхүүн хэсэг болохын хувьд өндөр температурт SiC түүхий эдийг сублимация болон талст хуримтлуулахад ашигладаг.

● Бусад өндөр температурт хагас дамжуулагч материалыг бэлтгэх: GaN, AlN зэрэг өргөн зурвасын хагас дамжуулагчийн талст өсөлтийн процессууд.

● Үйлчилгээний урт хугацаа: 

TaC бүрэх нь бал чулууны алдагдлыг эрс багасгаж, солих давтамжийг бууруулж, зардлыг хэмнэдэг.

● Өндөр болор чанар: 

Бөөмийн бохирдлыг бууруулж, SiC дан талстуудын цэвэр байдал, талстын бүрэн бүтэн байдлыг сайжруулна.

● Найдвартай нийлүүлэлт: 

Чанарын хатуу хяналтын систем нь багцын тогтвортой байдлыг хангаж, томоохон хэмжээний үйлдвэрлэлийн эрэлт хэрэгцээг дэмждэг.

● Үйлчилгээний дэмжлэг:

Техникийн зөвлөгөө өгөх, дулааны талбайн дизайныг оновчтой болгох, борлуулалтын дараах хяналтын үйлчилгээ үзүүлэх.

Үйл явцын тусгай шаардлагыг хангахын тулд стандарт бус тохиргоог дэмжих.

● Холбогдох үйлчлүүлэгчид: 

SiC субстрат үйлдвэрлэгчид, хагас дамжуулагч тоног төхөөрөмж үйлдвэрлэгчид, судалгааны байгууллагууд гэх мэт.

Дэлгэрэнгүй мэдээлэл эсвэл дээжийн туршилт авахыг хүсвэл бидэнтэй холбоо барина уу!